一. 器件標稱及應用說明
圖1. IRFB11N50Adatasheet section 2
Datasheet開篇一般都會給出本器件的性能標稱，即額定電流，額定電壓及最大RDS(ON)值。此外，還會結合本器件的性能特點，給出適合的應用領域。
這里給出的應用領域是開關模式電源支持（SMPS），不間斷電源(UPS)及高速電源開關。
二. 器件特點及封裝形式
圖2.IRFB11N50A datasheet section 3
這里給出了本器件的三個特性：
1．較低的柵極總充電電量只需簡單的驅動。這也意味著較快的開關速度及較低的量損耗。
2．優(yōu)化的柵結構，雪崩能力以及dv/dt的性能。這表明本器件對惡劣工作條件的忍受能力。
3．真實的電容，雪崩電壓及電流特性能力。設計人員在使用時能完全參考該datasheet的規(guī)格數據。
本器件采用的是TO-220封裝，是最常見的MOSFET的封裝形式之一，可用于各類主板。TO-220封裝的最大優(yōu)點是散熱快，使器件在同等工作條件下，得到更低的結溫。
三．熱阻
圖3.1IRFB11N50A datasheet section 4
熱阻是datasheet中極其重要的參數之一，是計算其他參數的依據。熱阻越小，表示該器件的散熱越快。
圖3.2 封裝結構及等效熱阻電路對應關系圖
1．結點到外殼的熱阻RθJC：
也稱作RthJC（見圖3.2），它表明當耗散一個給定的功率時，結溫與外殼溫度之間的差值大小。
公式表達為：
(式3.1)
其中ΔT表示溫升，PD表示最大損耗功率。
即如果RθJC等于 0.75 ? C/W，則每耗散10 W的功率，結溫將會高于外殼7.5 ? C。
在實際應用中，更常用的是瞬時熱阻ZthJC（見圖3.3）。
圖3.3 Maximum Effective Transient ThermalImpedance, Junction-to-Case
要從圖3.3中讀出ZthJC，就必須知道測試信號時間t1和總的測試脈沖周期t2，計算得到脈沖占空比D，通過t1和相對應的D查到對應的瞬時熱阻，然后代入式3計算就可以得到瞬態(tài)溫升了。
一般曲線圖中t1的最小單位時10us，但是如果要用到1us時候的瞬態(tài)熱阻，就需要自己計算了，計算公式如下：
(式3.2)
2．外殼到散熱片的熱阻RθCS：
絕緣封裝時，外殼（也就是圖3.2中的引線框）完全壓縮在塑料中。因此無法給出結點到外殼的熱阻值，取而代之是結點到散熱片的RθCS,它表現出散熱片復合的作用。當比較絕緣封裝和非絕緣封裝型號的熱阻時必須特別小心。
3．結點到周圍環(huán)境的熱阻RθJA：
說明當器件不安裝散熱器且在流通空氣中運行時結溫是如何升高的。
如果RθJA= 62? C /W, 在流通空氣中功率的耗散為1W將會產生使結溫高于外界空氣環(huán)境溫度62? C。
四．極限參數
圖4.1IRFB11N50A datasheet section 5
表中給出八個參數的絕對最大值。器件可以在這些值規(guī)定的范圍內工作，不能超出這些值，一旦超出，器件將會發(fā)生毀滅性的損壞。其中，除了VGS和dv/dt需要根據器件的真實性能來制定，ID和PD可以通過公式計算得到，而TJ和TSTG等需要根據應用情況而定。
1．最大直流漏源電流ID:
器件正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。這里給出的是當
VGS=10V（即器件開態(tài)時），分別在外殼溫度為25度和100度時的最大直流漏源電流，但這并不代表在運行過程中能夠達到這里所給定的值。
該參數其實是由公式計算得到的，公式如下：
（式4.1）
將表中的PD=170W以及RDS(on)=0.52Ω 代入式中，可得：
(式4.2)
式中的2.7是一個RDS(on)隨溫度變化的比例常數，由圖4.2中給出，此處取TJ為150度時的常數值，約為2.7。
圖4.2Normalized On-ResistanceVs.Temperature
最大直流漏源電流ID會隨結溫度的上升而有所減額，如圖4.3所示。其實根據式4.2來看的話，其曲線就是一條拋物線。
圖4.3 Maximum Drain CurrentVs. CaseTemperature
既然是計算值，必會有局限性。
例如器件IRF1404，其計算所得的ID值為162A，但是其封裝形式的電流能力只有75A，所以在datasheet的備注中，會說明“封裝限制電流為75A”。
2．最大脈沖漏源電流IDM：
功率MOS器件總的來說都有很強的峰流通過能力。連接管腳和芯片上的內部打線決定了該極限值。該參數所能應用的脈沖寬度取決于熱考慮。此參數會隨結溫度的上升而有所減額。
此參數一般取最大直流漏源電流ID的4倍，這里也就是11 x 4 =44A。這一經驗公式是根據三極管的參數特性沿用下來的。
3．最大耗散功率PD：
保證場效應管性能良好的最大漏源耗散功率。這里給出的是襯底溫度為25度時的最大消耗功率，此參數一般會隨結溫度的上升而有所減額，這里給出了它的最大線性減額幅度，即每升高1度，最大耗散功率減額1.3W，這也是通過熱阻計算出來的。
1 / RθJC=1 / 0.75 = 1.3W
(式4.3)
最大損耗功率是功率器件應用中至關重要的一個參數，圖4.4的安全工作區(qū)域曲線（SOA）就是用于說明最大損耗功率與相關參數關系的。
圖4.4 MaximumSafe Operating Area
安全區(qū)主要是由四個條件所決定：導通電阻RDS(on)、最大脈沖電流IDpulse、最大功率損耗PD及最大耐壓V(BR)DSS。正常條件下，PowerMOSFET都必須工作在安全工作區(qū)域之內。
瞬態(tài)最大功耗PD的計算公式是：
（式4.4）
其中Tjmax為極限結溫，Tmb為外殼溫度（一般情況下為25°C），這里ZthJC使用表中給出的0.75代入公式中，可以得到該器件的最大功率損耗：
PD=（150－25）/ 0.75
= 166.66W≈ 170W
（式4.5）
4．最大柵源電壓VGS：
柵上所能承受的最大電壓，如果超過此最大值，柵極會被破壞。
為保證應用的余量，給出的VGS值一定會小于柵源擊穿電壓V(BR)GSS。
一般VGS也可以估算得到，約為柵氧厚度值的十分之一。
5．漏極電壓變化率dv/dt:
在MOSFET器件中，存在兩個dv/dt的概念（如圖4.5），分別如下：
圖4.5 Equivalent Circuit of Power MOSFETShowing Two Possible Mechanisms for dv/dt Induced Turn-on
1）柵極電壓的變化率：
這個dv/dt用來計算柵極電壓的變化速度，與開啟的快慢有直接關系，在應用電路中，dv/dt與柵壓VG，以及柵漏電容CGD有關，當VG等于Vth，CGD充電完成后，就可以通過調節(jié)柵電阻RG實現控制dv/dt的速率，公式如下：
(式4.6)
這里順帶說明一下RG。在低壓大電流Trench PowerMOSFETs的datasheet中一般會給出RG的值。
RG由兩部分組成，外部電路中的柵電阻RG.C以及器件內部由柵金屬，焊接線以及外部封裝組成的器件內部電阻RG.I。如果RG過大，在相同的外部電流下，會提前達到開啟電壓，從而導致器件誤開啟。
2）源漏二極管導通電壓恢復峰值：
這個就是我們datasheet中所指的dv/dt了。
這個參數可以理解為在允許范圍內，當工作中的器件突然關斷時，漏源間的最大電壓上升速率。與反向恢復一樣，這也是表征體二極管性能的重要參數。
如果這個增長速率超過額定速率范圍的話，會引發(fā)MOSFET出現誤導（spurious-trigger）情況，甚至對器件造成毀滅性的破壞。
過快的dv/dt會導致過大的di/dt，從而使得電流迅速累積，作為寄生三極管的Base端的P-bodyde的電阻RB會充當這個電流的載體，使得Base端電壓增大，當大于P-body和N+組成的PN結的正向導通電壓VBE(常溫下約0.7V)的時候，P-body與N+導通，電流不通過溝道而使器件直接導通，這一導通過程就稱為誤導開啟。
一旦誤導開啟，如果沒有做好電流限制，很容易觸發(fā)雪崩擊穿，最終對器件造成毀滅性的破壞。
所以，衡量這個dv/dt的能力的，也就變成相應的寄生三極管的參數了：
(式4.7)
一般情況下，datasheet中給出的dv/dt約為器件真實性能的一半。一般器件的dv/dt能量必須超過3V/ns。
6．最大工作結溫Tj：
根據器件的工作環(huán)境定義不同，通常為 150℃ 或 175℃，這個溫度也是可靠性考核的參考溫度。
7．存儲溫度范圍TSTG：
超出該溫度范圍可能導致器件可靠性降低。
8．其他：
這里還給出了10秒內的最大焊接溫度及最大的6-32或M3螺絲的安裝扭矩（單位是鎊/英寸或者是牛頓/米）。